技術編號：6895518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種硅薄膜太陽能電池，特別涉及一種具有超晶格的硅薄膜太 陽能電池。其中，該超晶格P型半導體層內由非晶硅與非晶碳相互堆棧而成， 用以增加光能帶，以擴展對太陽光譜波長范圍的吸收與降低P型半導體層的電 阻。背景技術目前由于國際能源短缺，而世界各國 一直持續研發各種可行的替代能源， 其中又以太陽能發電的太陽電池最受到矚目。太陽電池具有使用方便、取之不 盡、用之不竭、無廢棄物、無污染、無轉動部份、無噪音、可阻隔輻射熱、使 用壽命長、尺寸可隨意變化、并與建筑...
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