技術編號：6886747
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電子電路，更特別地，涉及動態存儲器單元。 背景技術圖1A-1E分別顯示常規1T1C、 3T、 1T1D、 2T1D和3T1D存儲器單元 的晶體管電路示意圖。對于1T1C、 3T、 1T1D、 2T1D和3T1D存儲器單元的 詳細描述，例如，參見1968年6月4日出版的、標題為"Field-effectTransistor DRAM，，的美國專利號3387286; Karp等人的"A 4096-bit Dynamic MOS RAM", ISSCC...
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