技術編號：6871813
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于硬脆晶體基片超精密加工領域。背景技術 隨著微電子、光電子、半導體、光學元件、傳感器和激光技術等高精技術的快速發展，對硬脆晶體基片的加工精度和質量要求越來越苛刻。不但基片的厚度很薄，而且要求極低的表面粗糙度以及很高的平面度和平行度。如壓電水晶振子基片的厚度要求10～50μm，平面度要求0.01～0.05μm，Ra≤0.01μm；光學元件厚度要求50～100μm，平面度要求0.01～0.05μm，Ra≤0.01μm；作為中子衍射襯底的單晶MgO基片，...
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