技術編號：6869979
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于制造半導體的設備與方法，且更具體而言，涉及，使雜質離子以不同劑量被注入晶片的不同區域。背景技術 通常，當制造半導體器件如動態隨機存取存儲器(DRAMs)，需要許多工藝。這些工藝包括沉積工藝、蝕刻工藝、離子注入工藝等，且通常對每一晶片實施。在這些工藝中，離子注入工藝為使用強電場以加速如硼、砷離子等的摻雜離子方式穿透晶片的表面而實施的工藝，經由離子注入來改變材料的電特性。圖1為示意圖示出用于此工藝的公知離子注入設備。參考圖1，該公知離子注入設備包...
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