技術編號：6850221
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及。背景技術 近年來，為了實現更高集成度的半導體芯片，最近有力地進行半導體芯片如LSI的三維實施方案的研發。這些嘗試包括在半導體襯底上設置穿通電極。在H.Yonemura等的″Time-Modulated Cu-PlatingTechnique for Fabricating High-Aspect-Ratio Viasfor Three-dimensionalStacked LSI System″2002.Proceedings of the I...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。