技術編號：6848501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及，更確切地說是涉及一種離子注入結合鍵合減薄的工藝，制備絕緣體上的硅。屬于微電子與固體電子學、硅基集成光電子器件材料的一種制造工藝。背景技術 絕緣體上的硅即SOI(Silicon-on-insulator)電路具有高速，低功率，抗輻照等優點，在航空航天，軍工電子，便攜式通訊等方面具有重要的應用背景，被認為是二十一世紀的硅集成電路技術，倍受人們重視(J.P.Colige，Silicon onInsulator Technology，Material ...
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