技術編號：6843008
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于等離子體加工基底的方法和裝置，而且尤其涉及用于多層光致抗蝕劑干式顯影的方法。背景技術在半導體加工過程中，(干式)等離子體蝕刻方法可以用于沿在硅基底上構圖的細線或在通路或觸點內去除或蝕刻材料。等離子體蝕刻方法通常包括在加工室內用上覆構圖的保護層如光致抗蝕劑層定位半導體基底。基底一經在室中定位，可電離的離解的氣體混合物以預規定的流速被引進室中，同時調節真空泵以獲得環境過程壓力。之后，當存在的一部分氣體物質被通過感性的或容性的射頻(RF)功率或使用...
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