技術(shù)編號(hào)：6829598
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用炭化硅半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體器件，特別涉及被使用在大電流的炭化硅半導(dǎo)體功率器件。背景技術(shù) 功率器件為流經(jīng)大電流的半導(dǎo)體元件，在耐高壓、且低損失方面引人注目。至今為止，以使用硅(Si)半導(dǎo)體的功率器件作為主流，近年來(lái)，使用炭化硅(SiC)半導(dǎo)體的功率器件倍受關(guān)注，有關(guān)它的研究正在進(jìn)一步地發(fā)展。由于炭化硅半導(dǎo)體擁有比硅高一個(gè)數(shù)量級(jí)的絕緣破壞電場(chǎng)，因此即使使PN結(jié)和肖脫基結(jié)的耗盡層較薄，也能夠維持逆向耐壓。所以，為了能夠使器件厚度較薄、摻雜質(zhì)濃度較...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。