技術編號：6825379
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及銅或銅合金在半導體器件中的利用，尤其涉及另一層到銅或銅合金粘附力的改善。和更傳統的鋁或鋁合金互連相比，由于銅具有較低的電阻率以及具有對電遷移失效更小的敏感度，人們對半導體器件中用銅作為互連的興趣持續增加。然而，由于在互連冶金時，銅易于擴散到周圍的諸如二氧化硅等絕緣材料中，銅的封蓋是必須的。封蓋阻止了這種擴散。一種廣泛推薦的封蓋方法包括沿著銅互連的側壁和底表面使用導電阻擋層。這種阻擋層一般是鉭或鈦。銅互連上表面的封蓋通常使用氮化硅。然而，氮化硅未顯...
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