技術(shù)編號(hào)：6825378

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本發(fā)明一般涉及絕緣體基硅(SOI)型半導(dǎo)體器件，尤其涉及提供網(wǎng)絡(luò)靜電瀉放(ESD)保護(hù)的體柵耦合的厚氧結(jié)構(gòu)。保護(hù)電路一般應(yīng)用于集成電路來(lái)使內(nèi)部部件避免發(fā)生ESD。在體半導(dǎo)體材料中，可以制造部件來(lái)消耗ESD事件中的過(guò)量電荷。用于ESD保護(hù)的普通類型部件包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和厚場(chǎng)氧(TFO)穿通器件。在每個(gè)這樣的器件中，該器件的擊穿電壓由其內(nèi)部的p-n結(jié)的擊穿電壓決定。該p-n結(jié)面積通常足夠大，使其能夠消耗ESD事件中的過(guò)量電荷。隨...
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