技術編號：6819146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種金屬氧化物半導體(Metal Oxide Semiconductor；MOS)晶體管的制作，特別是涉及一種雙電壓金屬氧化物半導體晶體管的制作。目前在深次微米的應用上有朝向于雙操作電壓的傾向。由于通道長度的刻度縮小，使得核心元件的操作電壓低于輸出與輸入元件的操作電壓。然而，目前的制作工藝所面臨的主要障礙來自于元件在高電壓與低電壓下的運行結果無法同時令人滿意。尤其是高電壓元件常無法符合可靠性的要求。附圖說明圖1A至圖1E是傳統雙電壓金屬氧化物半導...
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