技術編號：6798247
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及高反壓晶體三極管的制造工藝，具體涉及。本發明的方法用Si3N4阻擋Ga分凝時的外擴散，改善小電流放大性能，從而降低負阻效應。本發明的高反壓低負阻硅晶體管的制造方法包括N型拋光硅片的清潔處理，一次氧化，基區開管擴鎵，一次光刻及后序常規工藝，其特點是在開管擴鎵之后，一次光刻之前，采用低壓氣相沉積的方法在SiO2上面生長厚度為1000_的氮化硅Si3N4薄膜。上述的在SiO2上氣相沉積氮化硅薄膜，是將化學計量比的SiH2Cl2與NH3混合，在795～8...
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