技術編號：6794873
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及在金屬表面的無電金屬沉積，特別是涉及一種用于在硅晶片上形成金屬電路的無電金屬沉積方法，其中在晶片上具有金屬電路圖形，在晶片襯底和沉積金屬之間包含有金屬屏障層。背景技術在硅晶片上制作集成電路要使用一系列步驟以制成晶片成品。在部分制備方法中，晶片被沉積一層二氧化硅(SiO2)，并且該SiO2或合適的介質被刻蝕，以便在晶片上形成通道或電路通道，該通道基本上是在SiO2層上形成的并在延伸到硅層的通路。然后電路通道被填充以導電金屬，以形成完成的電路。已周知...
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