技術編號：6788453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種非極性P-NiO/n-ZnO異質結構及其制備方法，屬于光電子功能器件領域。背景技術NiO作為一種典型的ρ型寬禁帶半導體薄膜材料(禁帶寬度為3.6 4.0 eV)，在ρ型透明導電薄膜、氣體傳感器、紫外探測器等領域顯示出廣闊的應用前景。隨著光電技術的發展，近年來半導體光電薄膜材料受到了高度重視，NiO薄膜作為一種代表性的本征ρ型半導體材料，更是受到廣大研究者的關注，成為半導體研究領域的熱點。在自然條件下，NiO為單一、穩定的立方氯化鈉結構，采用常...
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