技術編號：6784032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電可重寫非易失性存儲器和數據讀出方法，更具體地，涉及用于補償存儲器單元電流的溫度依賴性的技術。背景技術 隨著半導體集成電路器件的不斷的小型化，連線的寬度和厚度變得更小，連線電阻變得更高。例如，在半導體存儲器器件中，隨著連線的不斷小型化，位線的電阻變得更高。通常，用于感應和放大從存儲器單元讀出的數據的傳感放大器被連接到位線。在數據讀操作中，如果需要在預置的讀周期tb1將位線的電位改變ΔVb1并位線電容值被設置為Cb1，存儲器單元電流在傳感放大器附近...
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