技術(shù)編號(hào)：6750705

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本發(fā)明涉及磁阻(magneto-resistive)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法，更具體地說，涉及一種具有隧道結(jié)(tunneling junction)的。背景技術(shù) 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)由金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和磁隧道結(jié)構(gòu)成，所述隧道結(jié)和MOS晶體管電氣相連，作為信號(hào)儲(chǔ)存電容器。因而，借助于對(duì)MOS晶體管施加預(yù)定的電壓通過磁隧道結(jié)可以讀出記錄的數(shù)據(jù)。因?yàn)檫@種磁阻RAM具有快的速度并且是一種非易失的RAM，磁阻RAM非常適用于存儲(chǔ)裝置。此外，...
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