技術編號：6251950
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種無位錯鍺單晶片中COP缺陷的腐蝕檢測方法，從無位錯鍺單晶按晶向切出厚度為1~2mm的晶片，將晶片的一面在金剛砂磨盤上粗磨磨平，然后在毛玻璃上拋光至晶片表面無明顯劃痕；配制COP腐蝕液并冷卻至0℃；將經過拋光的無位錯鍺單晶片拋光面朝上放入0℃的腐蝕液中進行腐蝕，腐蝕時間5~8分鐘；腐蝕完成后立即用清水沖洗干凈擦干，在顯微鏡下數出單晶片表面COP缺陷數量。本發明采用的腐蝕液能夠腐蝕表面一層鍺，從而露出新鮮表面暴露出缺陷，能夠保證COP缺陷顯現效...
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