技術編號：6086512
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及電場分布的測量技術，具體地說，它涉及工作狀態下半導體激光器中電場分布的測量方法及裝置。目前，半導體激光器性能的優劣，通常是由伏安特性、光功率-電流特性和閾值電流密度、模式特性、光譜特性和線寬等來表征。但對半導體激光器而言，其載流子限制特性，即對注入載流子限制能力的強弱，以及注入電流擴展的大小，直接與半導體激光器的量子效率、閾值電流密度、光功率-電流特性、模式和溫度特性等密切相關，因此人們設計了各種不同的結構來改善半導體激光器載流子的限制特性。過去...
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