技術編號：6021352
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體測試技術，特別涉及一種MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法。背景技術在一個穩定工作的直流電路系統中，流經某一個節點的電流理論上是恒定的，不隨時間的變化而變化。用電流-時間圖來表示就是一條直線，如圖1的虛線所示。但是，由于各種原因，實際測量的電流并不是恒定的，而是如圖1中的實線所示，是一個圍繞理論電流值上下波動的曲線。實際電流值就是理論值加上噪聲電流，所述噪聲電流可正可負。類似的，流過金屬-氧化物-半導體-場效應晶體管(M0S晶體管...
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