技術編號：6016748
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種MOSFET器件摻雜結構的結深分析方法，特別涉及一種超結高壓功率MOSFET器件摻雜結構的染色分析方法。背景技術所謂“超結”(Super Junction)的結構是指建立在POWER MOSFET技術基礎上的高壓功率器件結構，如圖1所示。這是因為MOSFET器件如果按照“超結”原理設計，則可實現低于硅半導體材料自身最低電阻的特征導通電阻。超結器件的導通電阻與擊穿電壓呈線性而非二次函數關系，使得超結技術非常適用于高壓功率MOSFET器件。國際學...
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