技術(shù)編號(hào):588104
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及生長(zhǎng)第III族元素和第V族元素化合物薄膜的裝置和方法,尤其涉及 一種第III族元素和第V族元素化合物薄膜生長(zhǎng)反應(yīng)腔的清潔方法及反應(yīng)腔狀態(tài)恢復(fù)方 法。背景技術(shù)作為一種典型的第III族元素和第V族元素化合物薄膜,氮化鎵(GaN)是一種廣 泛應(yīng)用于制造藍(lán)光、紫光和白光二極管、紫外線檢測(cè)器和高功率微波晶體管的材料。由于 GaN在制造適用于大量用途的低能耗裝置(如,LED)中具有實(shí)際和潛在的用途,GaN薄膜的 生長(zhǎng)受到極大的關(guān)注。GaN薄膜能以多種不同的方...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。