技術編號:5271694
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種重摻雜硼硅片,尤其是涉及一種在微機電系統(MEMS)中利用射頻感應加熱擴散法對硅片重摻雜硼后進行再分布的方法。背景技術在微機電系統加工技術中,重摻雜工藝與可控性好的自停止腐蝕工藝相結合,可精確制備出幾微米至幾十微米厚的硼硅膜,作為微器件的結構層(如壓力膜、懸臂梁等)。由于結構層尺寸要求,通常需要采用熱擴散的方法進行高濃度深摻雜。在熱擴散工藝中,為獲得較深的重摻雜層,通常需要進行兩步擴散——預擴散和再分布。對于再分布,熱擴散的通常方法是取出源片...
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