技術編號：5271111
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及。根據本發明的實施例，形成半導體器件的方法包括在具有第一表面和相對的第二表面的工件的第一表面上形成犧牲層。薄膜形成在犧牲層上。通孔從第二表面蝕刻穿過工件以露出犧牲層的表面。犧牲層的至少一部分從第二表面移除以形成薄膜下的空腔。空腔與薄膜對齊。專利說明 [0001]本發明通常涉及半導體器件，尤其涉及。 背景技術 [0002]小機電組件可以使用微機電系統(MEMS)技術使用微電子制造工藝來制造。MEMS器件包括薄膜和橫梁，其用作機器和/或電子...
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