技術編號：5270738
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開的集成電路器件包括設置在半導體襯底上方的介電層，介電層具有形成在其中的犧牲腔體，形成到介電層上的膜層，以及在膜層上形成的覆蓋層從而形成第二腔體，第二腔體通過形成在膜層內的通孔連接至犧牲腔體。本發明還公開了具有覆蓋結構的MEMS器件結構。專利說明具有覆蓋結構的MEMS器件結構[0001]相關申請的交叉引用[0002]本申請要求于2013年3月11日提交的名稱為“MEMS Device Structure with aCapping Structur...
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