技術編號：5270683
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了，該方法包括如下步驟（1）清洗硅片，去除表面雜質和氧化層；（2）在硅片上涂覆負性光刻膠，并進行前烘；（3）用PDMS模板作為壓印模板，進行壓印工藝，得到光刻膠半球陣列結構；（4）用氧等離子體進行刻蝕，得到跨尺度的光刻膠陣列結構；（5）將跨尺度的光刻膠陣列結構進行熱解，得到三維跨尺度碳電極陣列結構。該方法簡單，便于控制，重復性好，制備的碳電極陣列結構穩定，具有大的比表面積和良好的生物兼容性，可廣泛應用于微型超級電容、微型電池、生物芯片和微型傳感器...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。