技術編號：5269027
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供，提供一硅片；在該硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定義陣列窗口并沿陣列窗口刻蝕氧化硅至暴露出硅表面為止；沿陣列窗口刻蝕硅表面形成硅凹槽陣列；去除硅片正面非刻蝕區域的氧化硅并形成復合膜；形成覆蓋硅凹槽陣列的電阻絲，在電阻絲表面形成鈍化層；在該硅片背面定義包圍硅凹槽陣列的窗口；沿窗口刻蝕硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面為止；沿窗口繼續腐蝕硅表面直到硅被完全腐蝕為止從而制備出三維紅外光源結構。本發明采用電阻絲位于凹槽陣列中，減少了發熱絲通過襯底的熱傳導...
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