技術編號:5009622
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體工業及研究中含砷及砷化合物的廢氣的處理方法。在半導體科研及生產中,在采用如化學束外延(CBE)、金屬有機化合物氣相淀積(MOCVD)等方法進行含砷的半導體材料制備過程中,產生含有砷及砷化合物的廢氣。這些成份是有毒的,因此,廢氣必須經處理后才能排放。國家環保標準對排放廢氣中有毒氣體的含量有具體規定,處理后的廢氣必須達到這一標準才能排放。通常是用處理溶液對有毒成份進行吸收,而且通常是用氧化劑來吸收。吸收的方式有兩種,一種是鼓泡,一種是逆向噴淋。...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。