技術編號：4901351
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及光電子材料。背景技術 熔鹽法是人工晶體生長中普遍應用的一種生長方法。它通常采用將所需生長晶體的組成物質溶于一合適的助熔劑中，通過緩慢降溫來得到所需的晶體。其特點在于使用性廣，對于大多數晶體都可以找到合適的助熔劑。提拉法(Czochrashi)也是比較普遍應用的晶體生長方法，它采用將化合物熔化后，直接從熔體中向上引拉，得到所需的晶體，其特點在于生長速度快。熔鹽提拉法則是一種改進的提拉法生長方法，其生長過程與提拉法相似，采用助熔劑降低晶體的熔點而越過...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。