技術(shù)編號：40407477

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本發(fā)明涉及微電子器件和半導(dǎo)體領(lǐng)域。具體地，本發(fā)明涉及基于smart?cuttm技術(shù)將薄膜轉(zhuǎn)移到支撐襯底上的方法，該薄膜在分離后表現(xiàn)出改善的粗糙度。具體地，轉(zhuǎn)移方法可用于制造soi結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、已知smart?cuttm技術(shù)用于制造soi(絕緣體上硅)結(jié)構(gòu)，并且更一般地用于薄膜轉(zhuǎn)移。該技術(shù)基于通過將輕物質(zhì)注入到所述襯底中而形成內(nèi)埋在供體襯底中的易碎平面；內(nèi)埋易碎平面與供體襯底的正面一起界定待轉(zhuǎn)移的薄膜。然后將供體襯底和支撐襯底在它們的相應(yīng)正面處接合以形成粘結(jié)結(jié)構(gòu)。該組裝有利地通過直接粘結(jié)、通過...
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