技術編號：39729792
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明的一實施方式涉及包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管。另外，本發明的一實施方式涉及包括薄膜晶體管的電子設備。背景技術、近年來，取代非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅等硅半導體膜而使用氧化物半導體膜作為溝道的薄膜晶體管的開發不斷發展(例如參見專利文獻～)。這樣的包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管與包括非晶硅膜的薄膜晶體管同樣能夠以簡單的結構且通過低溫工藝來形成。另外，已知包括氧化物半導體膜的薄膜晶體管相較于包括非晶硅膜的薄膜晶體管而言具有高的遷移率。、現有技術文獻、專利文獻、專利文獻：日本特開...
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