技術編號:39713217
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種制作半導體元件的方法,尤其是涉及一種整合高壓元件、中壓元件以及低壓元件的方法。背景技術、以目前的半導體技術水準,業界已能將控制電路、存儲器、低壓操作電路以及高壓操作電路及元件同時整合制作在單一芯片上,由此降低成本,同時提高操作效能,其中如垂直擴散金屬氧化物半導體(vertical?double-diffusion?metal-oxide-semiconductor,vdmos)、絕緣柵極雙載流子晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor,igbt)...
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