技術編號:39713178
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本文涉及半導體制造工藝,尤其涉及一種裝置及其應用。背景技術、在半導體制造工藝中,化學氣相沉積(cvd)工藝、原子層沉積(ald)工藝使用載氣或稀釋劑(例如,但不限于,氦、氫、氮等)將前驅體輸送反應室中,在基底上沉積前驅體以形成薄膜。、現有技術往往僅依靠載體的升華或鼓泡作用來輸送前驅體,然而這導致前驅體利用率低、顆粒物或液滴過多、前驅體濃度不均勻等問題。而且,一些前驅體材料是具有低蒸氣壓且常溫下為固態/粘稠液態的材料。這導致向反應室輸送前驅體材料存在困難。另外,隨著先進制程工藝(納米及以下)...
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