技術編號:3817501
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種應用于光電子器件領域的新的化合物,更具體是涉及一種可用于制備含硅雜環戊二烯的聚合物所需的鹵素取代的硅雜環戊二烯。本發明還涉及鹵素取代的硅雜環戊二烯的制備方法。背景技術 自1977年日本科學家白川英樹發現聚乙炔導電以來,這種被稱為“第四代高分子”材料的導電聚合物以其突出的光電性能吸引了眾多科學家進行研究。導電高分子同具有相同或相近用途的無機材料相比,具有密度低,易加工,合成選擇范圍廣等優點。由于這類材料結構的共軛特性,使它能傳輸電荷,受激發光,...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。