技術編號：3813583
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種。主要用于氮化鋁基片的快速超精密拋光過程及后道清洗過程。背景技術氮化鋁(AlN)是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料，具有優良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅熱膨脹系數相近等一系列優良特性，被認為是新一代該集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內外研究者的廣泛重視。理論上AlN的熱導率為320W. πΓ1. Γ1，該數值是傳統基片材料氧化鋁熱導率的5_10倍。氮化鋁陶瓷綜合性能優良，非常適用于半導體基片...
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