技術編號：3751977
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及。背景技術目前，關于鈦的化學機械拋光法(CMP)的研究主要集中在拋光速率的提升和相對鎢/銅/氧化物等的選擇比的調節上，而對拋光后鈦的表面質量如拋光缺陷、表面粗糙度等很少涉及。然而，就目前的發展趨勢來看，下一代高技術電子產品制造要求的是高度平坦化、納米級表面粗糙度、極低微觀缺陷和極低顆粒吸附的表面，這也對拋光鈦金屬的改良性 拋光組合物和拋光工藝方法提出了更高的需求，特別是在低拋光壓力的實驗條件下實現高拋光速率、高表面質量的拋光鈦金屬層。因此，目前用...
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