技術(shù)編號(hào)：3693680

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本發(fā)明一般涉及可用來利用化學(xué)機(jī)械平面化(“CMP”)法對(duì)基片進(jìn)行拋光和平面化的拋光墊的制造方法。更具體來說，本發(fā)明的方法改進(jìn)了拋光墊內(nèi)和拋光墊之間的均勻性。背景技術(shù) 在集成電路和其他電子器件的制造中，在半導(dǎo)體晶片的表面上沉積多層導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料和介電材料，或者將多層導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料和介電材料從半導(dǎo)體晶片的表面上除去。導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料和介電材料的薄層可通過許多種沉積技術(shù)沉積?，F(xiàn)代工藝中常規(guī)的沉積技術(shù)包括物理氣相沉積(也稱為濺鍍)、化學(xué)氣相沉積、等...
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