技術編號：3515956
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及。環硼氮烷化合物用于形成例如半導體用層間絕緣膜、障壁金屬層、蝕刻阻止層。背景技術隨著信息設備的高性能化，LSI的設計標準正在逐年精細化。在精細設計標準的 LSI制造中，構成LSI的材料也必須是高性能的，并且即使在精細LSI上也能發揮功能。例如，就用于LSI中的層間絕緣膜的材料而言，高介電常數成為其信號延遲的原因。在精細的LSI中，該信號延遲的影響特別大。因此，希望開發能用作層間絕緣膜的新型低介電材料。另外，為了能夠用作層間絕緣膜，不僅要求介電常數...
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