技術編號：3470798
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于材料，涉及一種微納材料的制備方法，具體涉及一 種硫化鉛微米環的制備方法。 背景技術硫化鉛(PbS)是一種重要的半導體材料，具有窄的帶隙(0.41 eV)和大的 玻爾激子半徑(18nm)。 PbS納米晶具有較強的量子限域效應，其三次非線性 光學性能大約是GaAs的30倍、CdSe的1000倍，在近紅外通訊、光子開關、 熱和生物成像、光電器件以及太陽能電池等方面有著重要應用。近年許多研 究表明納米材料的性能取決于其形貌、尺寸和結構等因素，使得納米材料...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。