技術編號：3457086
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種去除碳化硅微粉中雜質的凈化方法，特別是涉及一種去除碳化硅微粉中二氧化硅(SiO2)的方法。背景技術碳化硅(SiC)是一種重要的人工合成無機非金屬材料，具有高硬度、高耐磨性、耐腐蝕性及良好的高溫強度等特點。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3. 20 3. 25，顯微硬度為觀40 3320kg/mm2。中國是碳化硅的生產大國和...
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