技術編號：3435521

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本發明涉及一種在綜合氯硅烷設備中回收高沸點化合物的方法。 背景技術在各種生產多晶硅的子過程中，生成各種氯硅烷化合物，包括高沸點的二氯石圭烷和低聚氯石封完(HB)。術語"高沸點的化合物，高沸點的二氯硅烷 刺氏聚氯硅烷"或"高沸點化合物(highboiler)"在這里是指由硅、氯、可 能的氫、氧和碳組成并且具有比四氯化硅(57。C/在1013 hPa下)更高沸點的 化合物。該化合物優選為乙硅烷HnCl6-nSi2(n=0-4)以及,具有2至4個Si 原子的高謝...
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