技術編號：3430509
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種應用于稀磁半導體(DMS)的錳摻雜氮化鎵納米材料及其制備方法，屬于 稀磁半導體。 背景技術氮化鎵是一種性能優越的直接帶隙半導體材料，帶隙為3.32電子伏，是世界公認的第三 代半導體材料。目前己經被廣泛應用于藍光光電子器件、高頻、高功率電子器件等多個重要 領域。近年來隨著稀磁半導體在理論研究(如自旋計劃的輸運、自旋相關的共振隧穿)和實 際應用(如磁光和磁電器件、自旋量子計算機)方面的潛在價值，越來越受到世界各國研究 人員的密切關注。氮化鎵基稀磁...
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