技術編號：3412666
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種氧化鋅陣列及制備方法，尤其是ー種背景技術氧化鋅(ZnO)作為ー種重要的寬禁帶半導體，在光電發射、光催化、壓電性能及化學傳感等方面都表現出了非常優越的性能。近幾年來，ZnO—維材料在場發射方面的應用也引起了廣泛的關注。與碳納米管相比，ZnO—維納米材料在高的電場強度下表現出了強烈的能帶彎曲和較低的電子親和勢，同時還具有機械和化學穩定性好、結構形貌可設計性強和成本低廉等諸多優點。目前，人們為了探索和拓展氧化鋅的應用范圍，作了一些嘗試和努力，如在2...
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