技術編號：3411139
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于對形成有被研磨膜的基板、特別是形成有氧化硅系絕緣膜的半導體基板進行研磨的研磨劑，成為該研磨劑的濃縮一液式研磨劑、二液式研磨劑以及使用該研磨劑的基板研磨方法。背景技術在近年的半導體元件制造工序中，用于實現高密度化、微細化的加工技術的重要性正逐漸增大。作為其中之一的化學機械研磨(Chemical MechanicalPolishing，CMP)技術成為在半導體元件的制造工序中，形成淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, S...
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