技術(shù)編號：3375303

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本發(fā)明涉及用于化學(xué)機械拋光(CMP)的拋光墊，具體涉及適用于對半導(dǎo)體基片、 磁性基片或光學(xué)基片中的至少一種基片進行拋光的聚合物復(fù)合拋光墊。背景技術(shù)其上裝配有集成電路的半導(dǎo)體晶片必須進行拋光，以提供極光滑和平坦的表面， 該表面在特定平面內(nèi)的變化必須在微米的范圍內(nèi)。此拋光通常在化學(xué)機械拋光(CMP)操作中完成。這些“CMP”操作使用化學(xué)活性漿液，通過拋光墊磨光晶片表面?；瘜W(xué)活性漿液和拋光墊的組合結(jié)合起來拋光晶片表面或使晶片表面平面化。CMP操作產(chǎn)生的一個問題是...
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