技術(shù)編號(hào)：3368044

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本發(fā)明涉及一種通過(guò)在容器內(nèi)執(zhí)行向基板按順序供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng) 氣體的供給循環(huán)來(lái)層疊許多個(gè)反應(yīng)生成物的層形成薄膜的成膜裝置。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝的成膜方法，公知有這樣的工藝在真空條件下使第1反應(yīng) 氣體吸附于作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下稱(chēng)作“晶圓”)等的表面之后，將供給的氣體變 換為第2反應(yīng)氣體，通過(guò)兩氣體在晶圓表面的反應(yīng)形成1層或多層原子層、分子層，將該 循環(huán)進(jìn)行多次，從而在基板上成膜。該工藝?yán)绫环Q(chēng)作ALD (Atomic Layer Depo...
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