技術編號：3364817
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種用以在半導體制造中通過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。背景技術 隨著最近緊密、高速度及高一體化半導體裝置的發展，已在金屬布線技術中使用銅的金屬布線，其中銅的電阻較低及具有比傳統鋁布線材料好的電子遷移率特性。為了最大化地抑制在銅布線技術中退火期間可能發生的內層分離及電子遷移率，必須使用能有效阻止銅擴散及對銅具有良好的附著力的材料以形成防止擴散膜。最近，氮化鎢和氮化鉭(TaN)及氮化鈦(TiN)已一起受到注視。目前使用六氟化鎢(WF6)及氨(...
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