技術編號：3362744
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及化學機械拋光，特別是涉及基于葵花籽粒分布結構的仿生拋 光墊及制造方法。背景技術化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)是通過磨料粒子的研 磨作用與拋光液的化學腐蝕作用的有機結合，使被拋光的工件表面獲得超光滑和超平坦加 工方法。自1991年IBM公司首次成功地將CMP技術應用到IC制造過程以來，化學機械拋 光技術已廣泛地用于集成電路、存儲磁盤與磁頭、光學零件表面等的加工領域。隨著科學技術的迅猛發展，半導...
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