技術編號：3360613
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及諸如非易失性存儲器的微電子結構，且更具體地涉及諸如用在這種存 儲器中的基于碳的電阻率_切換材料及其形成方法。背景技術已知從可逆電阻-可切換元件形成的非易失性存儲器。例如，在2005年5月9日提 交的題為"Rewriteable Memory Cell Comprising A Diode And AResistance-Switching Material"的美國專利申請序列號11/125，939描述了包括與諸如金屬氧化物或金屬氮化 物的可逆電阻...
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