技術編號：3325276
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開一種應用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎工藝條件下獲取測試硅片的基準膜厚；進行多組膜厚調節實驗獲得不同實驗條件下測試硅片的膜厚，其中每組實驗的實驗條件為僅改變基礎工藝條件的工藝氣體流量；以及根據得到的多個測試硅片的膜厚相對于基準膜厚的多個膜厚變化值，以及多個測試硅片的膜厚所對應的氣體流量相對于基礎工藝條件的氣體流量的多個流量變化值，計算得到線性的膜厚流量變化關系模型。本發明還提供了一種膜厚在線優化方法，根據膜厚流量變化關系模...
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