技術編號：3249174
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于排出來自半導體晶片處理裝置的反應室等的排放氣體的排氣系統,尤其涉及一種排氣捕集裝置(exhaust trap)的改進，該排氣捕集裝置收 集由排放氣體中所包含的未反應氣體生成的固態物質。背景技術通常，對于制造半導體元件來說,將反應氣體導入處理裝置中的反應室內而 進行預定的處理，處理裝置例如是利用CVD(化學蒸汽沉積)的膜形成系統、用 于處理半導體晶片表面的氧化/擴散系統、或者用于在薄膜中形成布線圖案的干蝕刻系統，等等。例如，在形成聚一Si，Si...
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